Úkolem diplomové práce bude navrhnout a ve spolupráci s technology připravit nitridovou tranzistorovou heterostrukturu, která bude vhodná pro vysokovýkonové a zároveň vysokofrekvenční aplikace. Součástí práce bude seznámit se s fyzikálními vlastnostmi nitridových polovodičů a technologií jejich přípravy metodou organokovové epitaxe i specifiky HEMT (high electron mobility) heterostruktur. Diplomant se zapojí aktivně do probíhajícího výzkumu a získá zkušenost s aktuálním vývojem součástky ve spolupráci se zahraničním partnerem. Cílem bude vyvinout tranzistorové struktury se zavřeným kanálem (e-HEMT) nebo otevřeným kanálem (d-HEMT) a nalézt optimální podmínky jejich přípravy tak, aby byla dosažena maximální pohyblivost elektronů ve dvoudimenzionálním elektronovém plynu (2DEG) a struktura byla vhodná pro využití ve vysokofrekvenčních aplikacích (např. pro 5G mobilní sítě).
