Přehledový článek o použití HfO₂ tenkých vrstev v energeticky nezávislých pamětech

Ultratenké vrstvy HfO₂ se stávají feroelektrické ačkoli krystaly jsou paraelektrické. V tomto přehledu popisujeme jaký vliv mají velikost zrn, termální pnutí, dopanty, kyslíkové vakance, tloušťka vrstev, temperování a elektrody na dielektrické vlastnosti HfO₂, které jsou důležité pro aplikace ve vysoce integrovaných odporových pamětech s náhodným přístupem a ve feroelektrických pamětech. Také diskutujeme jak dosáhnout vysoký výkon s vysokorychlostním spolehlivým přepínáním a vynikající výdrží.

Popis

Závislost krystalové struktury HfO2 na tloušťce tenké vrstvy, mechanickém napětí a elektrodách.

Kontaktní osoba: Stanislav Kamba