Konference ICANS 28 (28th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors) se konala ve dnech 4.–9. srpna ve francouzském Palaiseau.
Ing. Matěj Hývl z Oddělení tenkých vrstev a nanostruktur prezentoval na konferenci ICANS 28 příspěvek s názvem "Nanoscale Study of the Hole-selective Passivating Contacts for High-Efficiency Silicon Solar Cells Using C-AFM Tomography“, jenž byl oceněn jednou ze tří cen o nejlepší poster na konferenci.
Tento příspěvek pojednává o pokročilých měřeních elektrických vlastností pasivujících kontaktů pro křemíkové solární články pomocí mikroskopu atomárních sil (AFM), které M. Hývl provádí s RNDr. Martinem Ledinským, Ph.D. ve spolupráci se švýcarskou univerzitou EPFL (École polytechnique fédérale de Lausanne).
Principem jejich měřící metody, nazývané C-AFM tomografie, je postupné odstraňování tenkých vrstev materiálu během měření. To umožňuje používat jinak výhradně povrchovou metodu C-AFM pro získávání informací z objemu materiálu. C-AFM tomografie jim umožnila obejít řadu problémů, které podobná měření provází v ostatních skupinách zabývajících se obdobným tématem, a přinést tak unikátní pohled do aktuálního problému současné fotovoltaiky.
Konference ICANS 28 (28th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors) se konala ve dnech 4.–9. srpna ve francouzském Palaiseau.